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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTA123EUA-7

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Imagem DDTA123EUA-7.

Diodes Incorporated

DDTA123EUA-7

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Disponível

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10+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DDTA123EUA-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

DDTA123EUA-7.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 500µA, 10mA
Tipo transistor

PNP - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-323
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

2.2 kOhms
Resistor - Base (R1)

2.2 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

DDTA123EUA7
DDTA123EUADICT
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Frequência - Transição

250MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-323
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

20 @ 20mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

100mA
Número da peça base

DDTA123

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