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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTB114GU-7-F
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3887308Imagem DDTB114GU-7-F.Diodes Incorporated

DDTB114GU-7-F

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
1+
$0.36
10+
$0.292
100+
$0.155
500+
$0.102
1000+
$0.069
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    DDTB114GU-7-F
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    DDTB114GU-7-F.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    PNP - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SOT-323
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    10 kOhms
  • Power - Max
    200mW
  • Embalagem
    Cut Tape (CT)
  • Caixa / Gabinete
    SC-70, SOT-323
  • Outros nomes
    DDTB114GU-7-FDICT
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    200MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    56 @ 5mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA (ICBO)
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    500mA

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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descrição: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
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Fabricantes: Diodes Incorporated
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Descrição: TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
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