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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTD113ZU-7-F
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6366740Imagem DDTD113ZU-7-F.Diodes Incorporated

DDTD113ZU-7-F

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Disponível
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$0.067
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    DDTD113ZU-7-F
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    DDTD113ZU-7-F.pdf
  • Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)
    50V
  • Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Tipo transistor
    NPN - Pre-Biased
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    SOT-323
  • Série
    -
  • Resistor - Base do Emissor (R2)
    10 kOhms
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Power - Max
    200mW
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    SC-70, SOT-323
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    16 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Frequência - Transição
    200MHz
  • Descrição detalhada
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-323
  • DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce
    56 @ 50mA, 5V
  • Atual - Collector Cutoff (Max)
    500nA
  • Atual - Collector (Ic) (Max)
    500mA
  • Número da peça base
    DTD113

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