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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single, pre-tendenc > DDTD133HC-7-F

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1415982

Imagem DDTD133HC-7-F.

Diodes Incorporated

DDTD133HC-7-F

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30000+

$0.039

75000+

$0.036

150000+

$0.031

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DDTD133HC-7-F
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DDTD133HC-7-F.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

300mV @ 2.5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN - Pre-Biased
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3
Série

-
Resistor - Base do Emissor (R2)

10 kOhms
Resistor - Base (R1)

3.3 kOhms
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DDTD133HC-7-F-ND
DDTD133HC-7-FDITR
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

200MHz
Descrição detalhada

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

56 @ 50mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

500nA
Atual - Collector (Ic) (Max)

500mA
Número da peça base

DTD133

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