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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > DMN2019UTS-13

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DMN2019UTS-13

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Disponível

2500+

$0.161

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN2019UTS-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN2019UTS-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

950mV @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-TSSOP
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

18.5 mOhm @ 7A, 10V
Power - Max

780mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes

DMN2019UTS-13DITR
DMN2019UTS13
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

28 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

143pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.8nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 5.4A 780mW Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

5.4A
Número da peça base

DMN2019

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