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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN2400UFB-7

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Imagem DMN2400UFB-7.

Diodes Incorporated

DMN2400UFB-7

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1000+

$0.088

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN2400UFB-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN2400UFB-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

3-X1DFN1006
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

550 mOhm @ 600mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

470mW (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

3-XFDFN
Outros nomes

DMN2400UFB-7DICT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

36pF @ 16V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

0.5nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 750mA (Ta) 470mW (Ta) Surface Mount 3-X1DFN1006
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

750mA (Ta)

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