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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN3009SFG-13

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Imagem DMN3009SFG-13.

Diodes Incorporated

DMN3009SFG-13

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN3009SFG-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 16A POWERDI333
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN3009SFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerDI3333-8
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.5 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

900mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

42nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 16A (Ta), 45A (Tc) 900mW (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

16A (Ta), 45A (Tc)

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