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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN60H080DS-7

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4203774

Imagem DMN60H080DS-7.

Diodes Incorporated

DMN60H080DS-7

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN60H080DS-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 80MA SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN60H080DS-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23-3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

100 Ohm @ 60mA, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.1W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DMN60H080DS-7-ND
DMN60H080DS-7DITR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

25pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

1.7nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 80mA (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

80mA (Ta)

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