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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMN61D9U-7

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1386916

Imagem DMN61D9U-7.

Diodes Incorporated

DMN61D9U-7

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN61D9U-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 60V 0.38A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN61D9U-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2 Ohm @ 50mA, 5V
Dissipação de energia (Max)

370mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

DMN61D9U-7DITR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

28.5pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

N-Channel 60V 380mA (Ta) 370mW (Ta) Surface Mount SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

380mA (Ta)

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