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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > DMN63D1LDW-13

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983019

Imagem DMN63D1LDW-13.

Diodes Incorporated

DMN63D1LDW-13

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN63D1LDW-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN63D1LDW-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 1mA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-23
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2 Ohm @ 500mA, 10V
Power - Max

310mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

30pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

0.3nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 250mA 310mW Surface Mount SOT-23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

250mA

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