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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > DMN63D8LDW-7

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851302

Imagem DMN63D8LDW-7.

Diodes Incorporated

DMN63D8LDW-7

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

$0.059

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMN63D8LDW-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMN63D8LDW-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-363
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

2.8 Ohm @ 250mA, 10V
Power - Max

300mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

DMN63D8LDW-7TR
DMN63D8LDW7
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

24 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

22pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

870nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 220mA 300mW Surface Mount SOT-363
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

220mA
Número da peça base

DMN63D8L

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