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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMP2005UFG-13

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DMP2005UFG-13

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Disponível

3000+

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMP2005UFG-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 89A POWERDI3333
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Fichas de dados

DMP2005UFG-13.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

900mV @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerDI3333-8
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

4 mOhm @ 15A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

2.2W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerVDFN
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

4670pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

125nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.8V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 89A (Tc) 2.2W (Ta) Surface Mount PowerDI3333-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

89A (Tc)

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