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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMP210DUFB4-7

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Imagem DMP210DUFB4-7.

Diodes Incorporated

DMP210DUFB4-7

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$0.164

500+

$0.088

1000+

$0.06

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMP210DUFB4-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 0.2A X2-DFN1006
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMP210DUFB4-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA
Vgs (Max)

±10V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

X2-DFN1006-3
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5 Ohm @ 100mA, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

350mW (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

3-XFDFN
Outros nomes

DMP210DUFB4-7DICT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 15V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

1.2V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 200mA (Ta) 350mW (Ta) Surface Mount X2-DFN1006-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

200mA (Ta)

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