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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMT3008LFDF-7

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2259008

Imagem DMT3008LFDF-7.

Diodes Incorporated

DMT3008LFDF-7

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DMT3008LFDF-7
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 12A
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DMT3008LFDF-7.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

U-DFN2020-6 (Type F)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

10 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)

800mW (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-UDFN Exposed Pad
Outros nomes

DMT3008LFDF-7DITR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

886pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

14nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 12A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Ta)

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