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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > DMT8012LSS-13
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260307Imagem DMT8012LSS-13.Diodes Incorporated

DMT8012LSS-13

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Disponível
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$0.403
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    DMT8012LSS-13
  • Fabricante / Marca
    Diodes Incorporated
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    DMT8012LSS-13.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Tecnologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    8-SO
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    16.5 mOhm @ 12A, 10V
  • Dissipação de energia (Max)
    1.5W (Ta)
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Outros nomes
    DMT8012LSS-13DITR
  • Temperatura de operação
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    32 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    1949pF @ 40V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    34nC @ 10V
  • Tipo FET
    N-Channel
  • Característica FET
    -
  • Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)
    4.5V, 10V
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    80V
  • Descrição detalhada
    N-Channel 80V 9.7A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    9.7A (Ta)

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Pagamento
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DMT8012LFG-7

DMT8012LFG-7

Descrição: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMTH10H010LCT

DMTH10H010LCT

Descrição: MOSFET 100V 108A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMTH10H010LCTB-13

DMTH10H010LCTB-13

Descrição: MOSFET N-CH 100V 108A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMT6D1K

DMT6D1K

Descrição: CAP FILM 1000PF 10% 630VDC RAD

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Disponível
RFQ
DMT6P1K

DMT6P1K

Descrição: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Disponível
RFQ
DMTH10H005LCT

DMTH10H005LCT

Descrição: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMT8012LFG-13

DMT8012LFG-13

Descrição: MOSFET N-CH 80V 9.5A PWDI3333-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMT6D33K-F

DMT6D33K-F

Descrição: CAP FILM 3300PF 10% 630VDC RAD

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Disponível
RFQ
DMTH10H015LK3-13

DMTH10H015LK3-13

Descrição: MOSFET NCH 100V 52.5A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMTH10H025LK3-13

DMTH10H025LK3-13

Descrição: MOSFET NCH 100V TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMTH10H015LPS-13

DMTH10H015LPS-13

Descrição: MOSFET NCH 100V 7.3A POWERDI

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMTH10H010SPSQ-13

DMTH10H010SPSQ-13

Descrição: MOSFET N-CHAN 61V 100V POWERDI50

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMT69M8LSS-13

DMT69M8LSS-13

Descrição: MOSFET BVDSS: 41V 60V,SO-8,T&R,2

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMTH10H030LK3-13

DMTH10H030LK3-13

Descrição: MOSFET NCH 100V 28A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

Descrição: MOSFET N-CH 80V 9A PWRDI5060-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMTH10H010SPS-13

DMTH10H010SPS-13

Descrição: MOSFETN-CH 100VPOWERDI5060-8

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMT6P1K-F

DMT6P1K-F

Descrição: CAP FILM 0.1UF 10% 630VDC RADIAL

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Disponível
RFQ
DMT8012LK3-13

DMT8012LK3-13

Descrição: MOSFET N-CH 80V 9.5A TO252

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
DMT6D47K-F

DMT6D47K-F

Descrição: CAP FILM 4700PF 10% 630VDC RAD

Fabricantes: Cornell Dubilier Electronics
Disponível
RFQ
DMTH10H005SCT

DMTH10H005SCT

Descrição: MOSFET N-CH 100V 140A TO220AB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
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