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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > DXT2011P5-13

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5616881

Imagem DXT2011P5-13.

Diodes Incorporated

DXT2011P5-13

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

5000+

$0.238

10000+

$0.229

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

DXT2011P5-13
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

DXT2011P5-13.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

220mV @ 500mA, 5A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerDI™ 5
Série

-
Power - Max

3.2W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerDI™ 5
Outros nomes

DXT2011P5-13TR
DXT2011P513
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

130MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 6A 130MHz 3.2W Surface Mount PowerDI™ 5
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 2A, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

20nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

6A
Número da peça base

DXT2011P5

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