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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > MMST5551-7-F

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341223

Imagem MMST5551-7-F.

Diodes Incorporated

MMST5551-7-F

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

$0.066

6000+

$0.059

15000+

$0.053

30000+

$0.05

75000+

$0.044

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

MMST5551-7-F
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS NPN 160V 0.2A SC70-3
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

MMST5551-7-F.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

160V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

200mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-323
Série

-
Power - Max

200mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SC-70, SOT-323
Outros nomes

MMST5551-FDITR
MMST55517F
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Frequência - Transição

300MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-323
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

200mA
Número da peça base

MMST5551

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