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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > ZXTN25100DGQTA

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5200569

Imagem ZXTN25100DGQTA.

Diodes Incorporated

ZXTN25100DGQTA

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

1+

$0.93

10+

$0.836

100+

$0.652

500+

$0.538

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

ZXTN25100DGQTA
Fabricante / Marca

Diodes Incorporated
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

IC PWR TRANSISTOR SOT223
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / Em conformidade com a RoHS
Fichas de dados

ZXTN25100DGQTA.pdf
Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max)

100V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 600mA, 3A
Tipo transistor

NPN
Embalagem do dispositivo fornecedor

SOT-223
Série

-
Power - Max

1.2W
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

TO-261-4, TO-261AA
Outros nomes

ZXTN25100DGQTADICT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

16 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS Compliant
Frequência - Transição

175MHz
Descrição detalhada

Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 3A 175MHz 1.2W Surface Mount SOT-223
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 10mA, 2V
Atual - Collector Cutoff (Max)

50nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max)

3A

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