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EPC2019ENG

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Especificações
  • Modelo do Produto
    EPC2019ENG
  • Fabricante / Marca
    EPC
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    EPC2019ENG.pdf
  • Modelo ECAD
  • Tensão - Teste
    270pF @ 100V
  • Tensão - Breakdown
    Die
  • VGS (th) (Max) @ Id
    50 mOhm @ 7A, 5V
  • Tecnologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Série
    eGaN®
  • Status de RoHS
    Cut Tape (CT)
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    8.5A (Ta)
  • Polarização
    Die
  • Outros nomes
    917-1055-1
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Número de peça do fabricante
    EPC2019ENG
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    2.5nC @ 5V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    2.5V @ 1.5mA
  • Característica FET
    N-Channel
  • Descrição expandida
    N-Channel 200V 8.5A (Ta) Surface Mount Die
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    -
  • Descrição
    TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    200V
  • Rácio de capacitância
    -

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