EPC2029

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Especificações

Modelo do Produto

EPC2029
Fabricante / Marca

EPC
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

EPC2029.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 12mA
Vgs (Max)

+6V, -4V
Tecnologia

GaNFET (Gallium Nitride)
Embalagem do dispositivo fornecedor

Die
Série

eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.2 mOhm @ 30A, 5V
Dissipação de energia (Max)

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

Die
Outros nomes

917-1107-2
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

12 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1410pF @ 40V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

80V
Descrição detalhada

N-Channel 80V 48A (Ta) Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

48A (Ta)

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