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913572Imagem EPC2102.EPC

EPC2102

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
500+
$5.454
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Especificações
  • Modelo do Produto
    EPC2102
  • Fabricante / Marca
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
  • Modelo ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 7mA
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    Die
  • Série
    eGaN®
  • RDS ON (Max) @ Id, VGS
    4.4 mOhm @ 20A, 5V
  • Power - Max
    -
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    Die
  • Outros nomes
    917-1182-2
  • Temperatura de operação
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Tempo de entrega padrão do fabricante
    14 Weeks
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds
    830pF @ 30V
  • Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8nC @ 5V
  • Tipo FET
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Característica FET
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Escorra a tensão de fonte (Vdss)
    60V
  • Descrição detalhada
    Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 60V 23A Surface Mount Die
  • Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C
    23A
SIT8208AC-8F-25S-26.000000X

SIT8208AC-8F-25S-26.000000X

Descrição: -20 TO 70C, 7050, 10PPM, 2.5V, 2

Fabricantes: SiTime
Disponível

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