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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > EPC2106

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Imagem EPC2106.

EPC

EPC2106

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Especificações

Modelo do Produto

EPC2106
Fabricante / Marca

EPC
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

TRANS GAN SYM 100V BUMPED DIE
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

EPC2106.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 600µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

Die
Série

eGaN®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

70 mOhm @ 2A, 5V
Power - Max

-
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

Die
Outros nomes

917-1110-2
Temperatura de operação

-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

14 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

75pF @ 50V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

0.73nC @ 5V
Tipo FET

2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET

GaNFET (Gallium Nitride)
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

100V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 100V 1.7A Surface Mount Die
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.7A

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