IRFB9N65A

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Especificações

Modelo do Produto

IRFB9N65A
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

1.IRFB9N65A.pdf
2.IRFB9N65A.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220AB
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

930 mOhm @ 5.1A, 10V
Dissipação de energia (Max)

167W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-220-3
Outros nomes

*IRFB9N65A
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1417pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

650V
Descrição detalhada

N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.5A (Tc)

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