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IRFSL9N60ATRR

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Especificações

Modelo do Produto

IRFSL9N60ATRR
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Status sem chumbo / Status RoHS

Contém chumbo / RoHS não compatível
Fichas de dados

IRFSL9N60ATRR.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

I2PAK
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

750 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

170W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Contains lead / RoHS non-compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

49nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

600V
Descrição detalhada

N-Channel 600V 9.2A (Tc) 170W (Tc) Through Hole I2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

9.2A (Tc)

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