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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Diodos - retificadores - Single > RS1GHE3_A/I
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6141779Imagem RS1GHE3_A/I.Electro-Films (EFI) / Vishay

RS1GHE3_A/I

Inquérito On-line

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Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível
7500+
$0.101
15000+
$0.092
37500+
$0.086
52500+
$0.079
Inquérito Online
Especificações
  • Modelo do Produto
    RS1GHE3_A/I
  • Fabricante / Marca
    Electro-Films (EFI) / Vishay
  • Quantidade de estoque
    Disponível
  • Descrição
    DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC
  • Status sem chumbo / Status RoHS
    Sem chumbo / acordo com RoHS
  • Fichas de dados
    RS1GHE3_A/I.pdf
  • Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se
    1.3V @ 1A
  • Tensão - DC reversa (Vr) (Max)
    400V
  • Embalagem do dispositivo fornecedor
    DO-214AC (SMA)
  • Velocidade
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Série
    Automotive, AEC-Q101
  • Inversa de tempo de recuperação (trr)
    150ns
  • Embalagem
    Tape & Reel (TR)
  • Caixa / Gabinete
    DO-214AC, SMA
  • Outros nomes
    RS1GHE3_A/I-ND
    RS1GHE3_A/IGITR
  • Temperatura de Operação - Junção
    -55°C ~ 150°C
  • Tipo de montagem
    Surface Mount
  • Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status sem chumbo / status de RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Tipo Diode
    Standard
  • Descrição detalhada
    Diode Standard 400V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Atual - dispersão reversa @ Vr
    5µA @ 400V
  • Atual - rectificada média (Io)
    1A
  • Capacitância @ Vr, F
    10pF @ 4V, 1MHz
  • Número da peça base
    RS1G

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Envio
Pagamento
O seguinte é "RS1GHE3_A/I" produtos relacionados.
RS1GB-13-F

RS1GB-13-F

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
RS1GL RFG

RS1GL RFG

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GHE3/5AT

RS1GHE3/5AT

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1GHM2G

RS1GHM2G

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GL MQG

RS1GL MQG

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GFSHMWG

RS1GFSHMWG

Descrição: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GHE3_A/H

RS1GHE3_A/H

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1GFSHMXG

RS1GFSHMXG

Descrição: DIODE, FAST, 1A, 400V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GHR3G

RS1GHR3G

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GL M2G

RS1GL M2G

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GFS MXG

RS1GFS MXG

Descrição: DIODE, FAST, 1A, 400V

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GFS MWG

RS1GFS MWG

Descrição: DIODE

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GL R3G

RS1GL R3G

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GHE3/61T

RS1GHE3/61T

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay
Disponível
RFQ
RS1GL MTG

RS1GL MTG

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GL RQG

RS1GL RQG

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GFA

RS1GFA

Descrição: DIODE GP 400V 800MA SOD123FA

Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Disponível
RFQ
RS1GL RHG

RS1GL RHG

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
RS1GB-13

RS1GB-13

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 1A SMB

Fabricantes: Diodes Incorporated
Disponível
RFQ
RS1GL MHG

RS1GL MHG

Descrição: DIODE GEN PURP 400V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)
Disponível
RFQ
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