RS1JHE3/5AT

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

RS1JHE3/5AT
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.RS1JHE3/5AT.pdf
2.RS1JHE3/5AT.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1.3V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

600V
Embalagem do dispositivo fornecedor

DO-214AC (SMA)
Velocidade

Fast Recovery = 200mA (Io)
Série

-
Inversa de tempo de recuperação (trr)

250ns
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

DO-214AC, SMA
Temperatura de Operação - Junção

-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 600V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Atual - dispersão reversa @ Vr

5µA @ 600V
Atual - rectificada média (Io)

1A
Capacitância @ Vr, F

7pF @ 4V, 1MHz
Número da peça base

RS1J

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Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

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Fabricantes: Diodes Incorporated

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 800MA SUBSMA

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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Descrição: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

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Fabricantes: TSC (Taiwan Semiconductor)

Disponível

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