S1MHE3_A/H

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Especificações

Modelo do Produto

S1MHE3_A/H
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

1.S1MHE3_A/H.pdf
2.S1MHE3_A/H.pdf
Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se

1.1V @ 1A
Tensão - DC reversa (Vr) (Max)

1000V
Embalagem do dispositivo fornecedor

DO-214AC (SMA)
Velocidade

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Série

Automotive, AEC-Q100
Inversa de tempo de recuperação (trr)

1.8µs
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

DO-214AC, SMA
Outros nomes

S1MHE3_A/H-ND
S1MHE3_A/HGITR
Temperatura de Operação - Junção

-55°C ~ 150°C
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Tipo Diode

Standard
Descrição detalhada

Diode Standard 1000V 1A Surface Mount DO-214AC (SMA)
Atual - dispersão reversa @ Vr

5µA @ 1000V
Atual - rectificada média (Io)

1A
Capacitância @ Vr, F

12pF @ 4V, 1MHz
Número da peça base

S1M

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Descrição: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214AC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Fabricantes: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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S1MHE3_A/H

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