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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI1426DH-T1-E3

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1500387

SI1426DH-T1-E3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI1426DH-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI1426DH-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-70-6 (SOT-363)
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

75 mOhm @ 3.6A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

SI1426DH-T1-E3CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

3nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 2.8A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

2.8A (Ta)

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