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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SI1917EDH-T1-E3

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799420

SI1917EDH-T1-E3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI1917EDH-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2P-CH 12V 1A SC70-6
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI1917EDH-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

450mV @ 100µA (Min)
Embalagem do dispositivo fornecedor

SC-70-6 (SOT-363)
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

370 mOhm @ 1A, 4.5V
Power - Max

570mW
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Outros nomes

SI1917EDH-T1-E3TR
SI1917EDHT1E3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

2nC @ 4.5V
Tipo FET

2 P-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

12V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 1A 570mW Surface Mount SC-70-6 (SOT-363)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1A
Número da peça base

SI1917

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