Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

*Nome da Empresa
*Nome
*Título

*Endereço de e-mail
*Número de telefone

*País
*Janela de contato
*Data do evento

*Mensagem

Para visitantes da Electronica 2024

Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.

Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI2356DS-T1-GE3

RFQs/Ordem (0)

Português

Português

4158827

SI2356DS-T1-GE3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

3000+

$0.126

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI2356DS-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI2356DS-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-236
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

51 mOhm @ 3.2A, 10V
Dissipação de energia (Max)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

SI2356DS-T1-GE3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

370pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

N-Channel 40V 4.3A (Tc) 960mW (Ta), 1.7W (Tc) Surface Mount TO-236
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.3A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

A Coréia do Sul planeja promulgar o ato de chip para comba...

Envio

Pagamento

O seguinte é "SI2356DS-T1-GE3" produtos relacionados.

SI2341DS-T1-E3

SI2341DS-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2372DS-T1-GE3

SI2372DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CHAN 30V SOT23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2366DS-T1-GE3

SI2366DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2347DS-T1-GE3

SI2347DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 5A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2392DS-T1-GE3

SI2392DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2371EDS-T1-GE3

SI2371EDS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 4.8A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2343DS-T1-GE3

SI2343DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2341DS-T1-GE3

SI2341DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2367DS-T1-GE3

SI2367DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2351DS-T1-E3

SI2351DS-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2343CDS-T1-GE3

SI2343CDS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 5.9A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2377EDS-T1-GE3

SI2377EDS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 20V 4.4A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2351DS-T1-GE3

SI2351DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2374DS-T1-GE3

SI2374DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CHAN 20V SOT23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2343DS-T1-E3

SI2343DS-T1-E3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23-3

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2343DS-T1

SI2343DS-T1

Descrição: MOSFET P-CH 30V 3.1A SOT23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2369DS-T1-GE3

SI2369DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET P-CH 30V 7.6A TO-236

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2392ADS-T1-GE3

SI2392ADS-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT-23

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI2342DS-T1-GE3

SI2342DS-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 8V 6A SOT-23

Fabricantes: Vishay Siliconix

Disponível

Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.

SEGUE-NOS

termos e Condições Política de infração Solicitar uma cotação Sobre nós Contate-nos Mapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.