SI3440DV-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SI3440DV-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI3440DV-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-TSOP
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

375 mOhm @ 1.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.14W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

SI3440DV-T1-GE3TR
SI3440DVT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

6V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

150V
Descrição detalhada

N-Channel 150V 1.2A (Ta) 1.14W (Ta) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.2A (Ta)

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