Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

*Nome da Empresa
*Nome
*Título

*Endereço de e-mail
*Número de telefone

*País
*Janela de contato
*Data do evento

*Mensagem

Para visitantes da Electronica 2024

Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.

Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SI4214DDY-T1-GE3

RFQs/Ordem (0)

Português

Português

5930917

SI4214DDY-T1-GE3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

2500+

$0.292

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI4214DDY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI4214DDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

19.5 mOhm @ 8A, 10V
Power - Max

3.1W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

SI4214DDY-T1-GE3-ND
SI4214DDY-T1-GE3TR
SI4214DDYT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

22nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 8.5A 3.1W Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

8.5A

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

Envio

Pagamento

O seguinte é "SI4214DDY-T1-GE3" produtos relacionados.

SI4226DY-T1-GE3

SI4226DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4212-RRDA-EVB

SI4212-RRDA-EVB

Descrição: BOARD EVALUATION FOR SI4212

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

SI4212-B-GM

Descrição: IC RF TXRX CELLULAR 36-VFQFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

SI4230DY-T1-GE3

SI4230DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4212-RKDA-EVB

SI4212-RKDA-EVB

Descrição: BOARD EMULATION FOR SI4212

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

SI4228DY-T1-GE3

SI4228DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4288DY-T1-GE3

SI4288DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

Fabricantes: Vishay Siliconix

Disponível

SI4210DY-T1-GE3

SI4210DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4228DY-T1-E3

SI4228DY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4214DDY-T1-E3

SI4214DDY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4276DY-T1-E3

SI4276DY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4212-TKDX-EVB

SI4212-TKDX-EVB

Descrição: KIT EVAL TXRX FOR SI4212

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

SI4210-X-BO-EVB

SI4210-X-BO-EVB

Descrição: BOARD BREAKOUT FOR SI4210

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

SI4286DY-T1-GE3

SI4286DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4210-G-RF-EVB

SI4210-G-RF-EVB

Descrição: BOARD RADIO FOR SI4210,SI4300

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

SI4212-TRDX-EVB

SI4212-TRDX-EVB

Descrição: KIT EVAL DAUGHT CARD FOR SI4212

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

SI4276DY-T1-GE3

SI4276DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4214DY-T1-GE3

SI4214DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4226DY-T1-E3

SI4226DY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SI4210-T-IF-EVB

SI4210-T-IF-EVB

Descrição: BOARD RADIO INTRFC FOR SI4210

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.

SEGUE-NOS

termos e Condições Política de infração Solicitar uma cotação Sobre nós Contate-nos Mapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.