SI4384DY-T1-E3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

$1.38

10+

$1.22

100+

$0.964

500+

$0.748

1000+

$0.59

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI4384DY-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI4384DY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.5 mOhm @ 15A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.47W (Ta)
Embalagem

Original-Reel®
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

SI4384DY-T1-E3DKR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

18nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 10A (Ta) 1.47W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

10A (Ta)

O seguinte é "SI4384DY-T1-E3" produtos relacionados.

SI4390DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4362BDY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4388DY-T1-E3

Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4378DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4390DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 8.5A 8SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4396DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4362-C2A-GMR

Descrição: IC RCVR EZRADIO SUB GHZ 20QFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

RFQ

SI4384DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4362BDY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 29A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4368DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4368DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4362-B1B-FMR

Descrição: IC EZRADIO PRO RX 20QFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

RFQ

SI4386DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4396DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4378DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4386DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4388DY-T1-GE3

Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 10.7A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4398DY-T1-E3

Descrição: MOSFET N-CH 20V 19A 8-SOIC

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

RFQ

SI4362-C2A-GM

Descrição: EZRADIOPRO SUB GHZ RECEIVER, -11

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

RFQ

SI4362-B1B-FM

Descrição: IC EZRADIO PRO RX 20QFN

Fabricantes: Energy Micro (Silicon Labs)

Disponível

RFQ

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Registro antecipado

SI4384DY-T1-E3

Inquérito On-line

Preço de referência (em dólares americanos)

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

SI4390DY-T1-E3

SI4362BDY-T1-GE3

SI4388DY-T1-E3

SI4378DY-T1-E3

SI4390DY-T1-GE3

SI4396DY-T1-E3

SI4362-C2A-GMR

SI4384DY-T1-GE3

SI4362BDY-T1-E3

SI4368DY-T1-GE3

SI4368DY-T1-E3

SI4362-B1B-FMR

SI4386DY-T1-E3

SI4396DY-T1-GE3

SI4378DY-T1-GE3

SI4386DY-T1-GE3

SI4388DY-T1-GE3

SI4398DY-T1-E3

SI4362-C2A-GM

SI4362-B1B-FM

Selecione o idioma

Linguagem atual