SI4501BDY-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SI4501BDY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N/P-CH 30V/8V 8SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI4501BDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SOIC
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

17 mOhm @ 10A, 10V
Power - Max

4.5W, 3.1W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

SI4501BDY-T1-GE3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

805pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

25nC @ 10V
Tipo FET

N and P-Channel, Common Drain
Característica FET

Logic Level Gate
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V, 8V
Descrição detalhada

Mosfet Array N and P-Channel, Common Drain 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A, 8A

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