SI4800BDY-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SI4800BDY-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI4800BDY-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.8V @ 250µA
Vgs (Max)

±25V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

18.5 mOhm @ 9A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.3W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

SI4800BDY-T1-GE3TR
SI4800BDYT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

33 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

13nC @ 5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 6.5A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6.5A (Ta)

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