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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI4876DY-T1-E3

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SI4876DY-T1-E3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI4876DY-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 20V 14A 8-SOIC
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI4876DY-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

600mV @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-SO
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5 mOhm @ 21A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1.6W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Outros nomes

SI4876DY-T1-E3CT
SI4876DYT1E3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

N-Channel 20V 14A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SO
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

14A (Ta)

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