SI6435ADQ-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SI6435ADQ-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI6435ADQ-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-TSSOP
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

30 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.05W (Ta)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Outros nomes

SI6435ADQ-T1-GE3CT
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 4.7A (Ta) 1.05W (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4.7A (Ta)

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