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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI7112DN-T1-E3

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Imagem SI7112DN-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7112DN-T1-E3

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Especificações

Modelo do Produto

SI7112DN-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 30V 11.3A 1212-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI7112DN-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® 1212-8
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7.5 mOhm @ 17.8A, 10V
Dissipação de energia (Max)

1.5W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® 1212-8
Outros nomes

SI7112DN-T1-E3TR
SI7112DNT1E3
Temperatura de operação

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

2610pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

N-Channel 30V 11.3A (Tc) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

11.3A (Tc)

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