SI7216DN-T1-GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SI7216DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK 1212-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI7216DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® 1212-8 Dual
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

32 mOhm @ 5A, 10V
Power - Max

20.8W
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® 1212-8 Dual
Outros nomes

SI7216DN-T1-GE3CT
Temperatura de operação

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

670pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

19nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

40V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 6A 20.8W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

6A
Número da peça base

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