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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI7601DN-T1-GE3

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Imagem SI7601DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7601DN-T1-GE3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI7601DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 20V 16A 1212-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI7601DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.6V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® 1212-8
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

19.2 mOhm @ 11A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

3.8W (Ta), 52W (Tc)
Embalagem

Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® 1212-8
Outros nomes

SI7601DN-T1-GE3CT
Temperatura de operação

-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 16A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

16A (Tc)

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