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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SI7882DP-T1-E3

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Imagem SI7882DP-T1-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SI7882DP-T1-E3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SI7882DP-T1-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 12V 13A PPAK SO-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SI7882DP-T1-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±8V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® SO-8
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

5.5 mOhm @ 17A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

1.9W (Ta)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® SO-8
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

12V
Descrição detalhada

N-Channel 12V 13A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

13A (Ta)

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