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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIE882DF-T1-GE3

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Imagem SIE882DF-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIE882DF-T1-GE3

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Disponível

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$1.258

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIE882DF-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 25V 60A POLARPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIE882DF-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

10-PolarPAK® (L)
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

1.4 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

5.2W (Ta), 125W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

10-PolarPAK® (L)
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

6400pF @ 12.5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

145nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

N-Channel 25V 60A (Tc) 5.2W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount 10-PolarPAK® (L)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

60A (Tc)

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