Para visitantes da Electronica 2024

Reserve seu tempo agora!

Só é preciso alguns cliques para reservar seu lugar e obter o bilhete do estande

Hall C5 Booth 220

Registro antecipado

*Nome da Empresa
*Nome
*Título

*Endereço de e-mail
*Número de telefone

*País
*Janela de contato
*Data do evento

*Mensagem

Para visitantes da Electronica 2024

Você está se inscrevendo! Obrigado por marcar uma consulta!
Enviaremos os tickets de estande por e -mail assim que verificarmos sua reserva.

Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIHB15N50E-GE3

RFQs/Ordem (0)

Português

Português

5650774

Imagem SIHB15N50E-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB15N50E-GE3

Inquérito On-line

Preencha todos os campos necessários com suas informações de contato.Click "Envie RFQ", entraremos em contato com você em breve por e -mail.Ou envie um email:info@ftcelectronics.com

Preço de referência (em dólares americanos)

Disponível

1+

$3.21

10+

$2.898

100+

$2.329

500+

$1.811

1000+

$1.501

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIHB15N50E-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIHB15N50E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D²PAK (TO-263)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

280 mOhm @ 7.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

156W (Tc)
Embalagem

Bulk
Caixa / Gabinete

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1162pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 14.5A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

14.5A (Tc)

Informações Relacionadas
Remessa
Forma de pagamento

Anthropic recebe outro investimento de US $ 4 bilhões da A...

Semi: as vendas de IC aumentam 12% no terceiro trimestr...

É relatado que a Kioxia receberá aprovação de listagem ...

A mais recente plataforma óptica de silício do semicondut...

A indústria se recupera lentamente.O fornecedor epitaxial ...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Fornecedor: um grande número de componentes da GPU da sér...

Taiwan, o valor de saída do semicondutor da China aumentar...

Expandindo a produção de painéis OLED, a LG Display inve...

A Amazon aumenta os esforços para criar chips de IA person...

O lucro líquido do terceiro trimestre de Pegatron foi de N...

Envio

Pagamento

O seguinte é "SIHB15N50E-GE3" produtos relacionados.

SIHB12N50E-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB18N60E-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB15N65E-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB12N65E-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Fabricantes: Vishay Siliconix

Disponível

SIHB12N50C-E3

Descrição: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB10N40D-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB22N60E-E3

Descrição: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB22N60AEL-GE3

SIHB22N60AEL-GE3

Descrição: MOSFET N-CHAN 600V

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHA6N80E-GE3

Descrição: MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB20N50E-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB12N65E-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB16N50C-E3

Descrição: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB15N60E-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHA6N65E-E3

Descrição: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

SIHB12N60E-GE3

Descrição: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

Disponível

Como o único distribuidor público de mercado aberto, possuímos uma combinação única de acesso global, experiência na indústria de manufatura e qualidade comprovada.Com isso, podemos criar soluções personalizadas de cadeia de suprimentos de ponta a ponta para o fornecimento de componentes eletrônicos e gerenciamento de inventário.

SEGUE-NOS

termos e Condições Política de infração Solicitar uma cotação Sobre nós Contate-nos Mapa do site

Selecione o idioma

Clique no espaço para sair

Linguagem atual

Escolha o seu país ou a sua região.