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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIHD3N50D-E3

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Imagem SIHD3N50D-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHD3N50D-E3

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Disponível

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIHD3N50D-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 3A TO252 DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIHD3N50D-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

D-PAK (TO-252AA)
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

3.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Dissipação de energia (Max)

69W (Tc)
Embalagem

Tube
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

20 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 3A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

3A (Tc)

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