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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SIHF12N50C-E3

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Imagem SIHF12N50C-E3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHF12N50C-E3

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Disponível

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$3.043

Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIHF12N50C-E3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIHF12N50C-E3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA
Vgs (Max)

±30V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-220 Full Pack
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

555 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max)

36W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-220-3 Full Pack
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Through Hole
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

18 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

1375pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

48nC @ 10V
Tipo FET

N-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

500V
Descrição detalhada

N-Channel 500V 12A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

12A (Tc)

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