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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SIS902DN-T1-GE3

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Imagem SIS902DN-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIS902DN-T1-GE3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIS902DN-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 75V 4A PPAK 1212-8
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIS902DN-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

PowerPAK® 1212-8 Dual
Série

TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

186 mOhm @ 3A, 10V
Power - Max

15.4W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

PowerPAK® 1212-8 Dual
Outros nomes

SIS902DN-T1-GE3TR
SIS902DNT1GE3
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 38V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

6nC @ 10V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

75V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 75V 4A 15.4W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

4A
Número da peça base

SIS902

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