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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - matrizes > SIZ320DT-T1-GE3

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Imagem SIZ320DT-T1-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIZ320DT-T1-GE3

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Inquérito Online

Especificações

Modelo do Produto

SIZ320DT-T1-GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET 2N-CH 25V 30/40A 8POWER33
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SIZ320DT-T1-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.4V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor

8-Power33 (3x3)
Série

PowerPAIR®, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

8.3 mOhm @ 8A, 10V, 4.24 mOhm @ 10A, 10V
Power - Max

16.7W, 31W
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

8-PowerWDFN
Outros nomes

SIZ320DT-T1-GE3-ND
SIZ320DT-T1-GE3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante

32 Weeks
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

660pF @ 12.5V, 1370pF @ 12.5V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.9nC @ 4.5V, 11.9nC @ 4.5V
Tipo FET

2 N-Channel (Dual)
Característica FET

Standard
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

25V
Descrição detalhada

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 30A (Tc), 40A (Tc) 16.7W, 31W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

30A (Tc), 40A (Tc)

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Forma de pagamento

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Fabricantes: Electro-Films (EFI) / Vishay

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Descrição: MOSFET 2N-CH 30V 11A POWERPAIR

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