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SQ2309ES-T1_GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SQ2309ES-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CHAN 60V SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SQ2309ES-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-236 (SOT-23)
Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

336 mOhm @ 3.8A, 10V
Dissipação de energia (Max)

2W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes

SQ2309ES-T1_GE3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

265pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

8.5nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

60V
Descrição detalhada

P-Channel 60V 1.7A (Tc) 2W (Tc) Surface Mount TO-236 (SOT-23)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

1.7A (Tc)

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