SQ3425EV-T1_GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SQ3425EV-T1_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CHANNEL 20V 7.4A 6TSOP
Status sem chumbo / Status RoHS

Sem chumbo / acordo com RoHS
Fichas de dados

SQ3425EV-T1_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

1.4V @ 250µA
Vgs (Max)

±12V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

6-TSOP
Série

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS

60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Dissipação de energia (Max)

5W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Outros nomes

SQ3425EV-T1_GE3TR
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)

1 (Unlimited)
Status sem chumbo / status de RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

840pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

10.3nC @ 4.5V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

2.5V, 4.5V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

20V
Descrição detalhada

P-Channel 20V 7.4A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

7.4A (Tc)

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