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Casa > Produtos > Produtos semicondutores discretos > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > SQD50P03-07_GE3

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Imagem SQD50P03-07_GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SQD50P03-07_GE3

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Especificações

Modelo do Produto

SQD50P03-07_GE3
Fabricante / Marca

Electro-Films (EFI) / Vishay
Quantidade de estoque

Disponível
Descrição

MOSFET P-CH 30V 50A TO252AA
Status sem chumbo / Status RoHS
Fichas de dados

SQD50P03-07_GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA
Vgs (Max)

±20V
Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor

TO-252AA
Série

-
RDS ON (Max) @ Id, VGS

7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max)

136W (Tc)
Embalagem

Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de operação

-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem

Surface Mount
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds

5490pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs

146nC @ 10V
Tipo FET

P-Channel
Característica FET

-
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado)

4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss)

30V
Descrição detalhada

P-Channel 30V 50A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C

50A (Tc)

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